超聲波流量計(jì)芯片的原理探討 六十九
超聲波流量計(jì)ESD損傷的防護(hù)手段可以分為兩個(gè)方面：～方面是外部因素，即改善器件和電路的生產(chǎn)、工作、存儲(chǔ)環(huán)境和規(guī)范；另方面是內(nèi)部因素，印提高片內(nèi)ESD保護(hù)電路的性能，這方面也是日前提高集成電路抗ESD性能的主要手段。
①二極管鉗位：電路圖及版圖如圖4．8所示，它由兩個(gè)反偏的二極管連接。其原理為：當(dāng)IN輸入端產(chǎn)生瞬時(shí)正向高電壓時(shí)，D0導(dǎo)通，電流通過VDD泄放，當(dāng)IN出現(xiàn)瞬時(shí)負(fù)向高電壓時(shí)，Dl導(dǎo)通，電流通過地線泄放。
②MOS管鉗位：將MOS管的柵和漏相連，工作原理與二極管連接的ESD類似。當(dāng)輸入PAD出現(xiàn)IF的ESD脈沖，則P0導(dǎo)通，電流經(jīng)VDD泄放。反之當(dāng)出現(xiàn)負(fù)的ESD脈沖時(shí)，NO導(dǎo)通，ESD電流經(jīng)NO泄放到地。
本文采用的是MOS管鉗位形式的ESD保護(hù)。由丁本文的引腳有●4個(gè)，凼此PAD的ESD保護(hù)占了芯片的很大的面積，在芯片的改進(jìn)中應(yīng)該考慮這個(gè)問題，減小引腳數(shù)目，從而節(jié)省較多的面積。
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